








壓差控制器安裝位置為前室:
1、根據(jù)預留安裝位置及氣管的走向,確定具體位置,建議安裝高度離地面 2.5 米或者頂部距離吊頂(天花)0.2 米;
2、墻上打孔固定膠粒,壓差控制器掛裝或使用螺釘固定;
3、測量前室與走廊壓差時,壓差控制器長管嘴(-)接氣管,氣管另一端接入相應走廊,走廊出管位置接氣管座,同時螺釘固定好氣管座即可。壓差控制器短管嘴(+)不需接管,懸空即可。
4、測量樓梯間與前室壓差時,壓差控制器短管嘴(+)接氣管,氣管另一側(cè)對應接入相應樓梯間,樓梯間出管位置接氣管座,同時螺釘固定好氣管座即可。壓差控制器長管嘴(-)不需接管,懸空即可。
多晶硅電阻膜的準確阻值
此外,與單晶硅壓阻相比,多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作,如在介電體(SiO2、Si3N4)上。其制備過程與常規(guī)半導體工藝兼容,且無PN結(jié)隔離問題,因而適合更高工作溫度(t≥200℃)場合使用。在相同工作溫度下,多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比,可更有效地抑制溫度漂移,有利于長期穩(wěn)定性的實現(xiàn)。多晶硅電阻膜的準確阻值可以通過光刻手段獲得。 綜上所述,多晶硅膜具有較寬的工作溫度范圍(-60~+300℃),可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應變靈敏系數(shù)及能達到準確調(diào)整阻值的特點。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時,利用多晶硅膜這些電學特性,有時比只用單晶硅更有價值。例如,利用機械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片,在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2,再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型電梯前室壓差控制器,發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢,其工作高溫至少可達200℃,甚至300℃;低溫為-60℃。

硅
三、硅-藍寶石 硅-藍寶石材料是通過外延生長技術(shù)將硅晶體生長在藍寶石(α-Al2O3)襯底上形成的。硅晶體可以認為是藍寶石的延伸部分,二者構(gòu)成硅-藍寶石SOS晶片。藍寶石材料為絕緣體,在其上面淀積的每一個電阻,其電性能是完全獨立的。這不僅能消除因PN結(jié)泄漏而產(chǎn)生的漂移,還能提供很高的應變效應和高溫(≥300℃)環(huán)境下的工作穩(wěn)定性。藍寶石材料的遲滯和蠕變小到可以忽略不計的程度,因而具有的重復性;藍寶石又是一種惰性材料,化學穩(wěn)定性好,耐腐蝕,抗輻射能力強;藍寶石的機械強度高。 綜上所述,充分利用硅-藍寶石的特點,可以制作出具有耐高溫、耐腐蝕及抗輻射等優(yōu)越性能的傳感器和電路;但要獲得精度高、的指標,還必須解決好整體結(jié)構(gòu)中材料之間的熱匹配性,否則難以達到預期的目標。由于硅-藍寶石材料又脆又硬,其硬度僅次于金剛石,制作工藝技術(shù)比較復雜。



